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东莞中规模集成电路技术

更新时间:2025-11-13

    在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中,在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中,在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。步骤至在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中,可以重复步骤至(如步骤所示)以在存储单元上方形成存储单元。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。虽然方法描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如。mram单元)的方法存储器电路,但是应该理解,在其它实施例中,调节装置可以包括电阻器(例如,薄膜电阻器)。在这样的实施例中,工作mtj器件可以通过组操作(在步骤中)形成,而包括电阻器的调节装置可以通过组单独的操作(在步骤和步骤之间发生)形成。例如,在工作mtj的形成(在步骤中)之后,可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此,在一些实施例中。涉及不具有驱动晶体管(即。存取晶体管)的存储单元(例如,mram单元)。而且,存储单元包括调节访问装置。集成电路产品是信息产业的基础,直接关乎社会的稳定与国家的安全。东莞中规模集成电路技术

    印刷电路板一般是双侧的,集成电路安装在两侧上。热接口材料6的层热耦联至集成电路。一种常见的热接口材料是热间隙垫。然而,可以使用其他的热接口材料。在所描绘的实施例中,由通过内部铰链连接的一对侧板组成的、能够移除的散热器与热接口材料6的层物理接触。并且因此热耦联至热接口材料6。侧板可以由铝制成。然而,可以使用其他材料来形成侧板。能够移除的一个或多个弹性夹可定位在侧板周围,以将侧板压靠在热接口材料6上,以确保合适的热耦联。图示出了根据一个实施例的流程。尽管流程的步骤以特定顺序示出,这些步骤的部分或全部可以以其他顺序执行、并行地执行或两者的组合。一些步骤可以被省略。参考图,在处,提供两个印刷电路装配件。每个印刷电路装配件包括:系统板;平行地安装在系统板上的多个印刷电路板插座;和多个冷却管6。每个所述冷却管安装在系统板上、平行且邻接于所述印刷电路板插座中对应的一个印刷电路板插座,所述冷却管6中的每个冷却管6具有在冷却管6与系统板相对的一侧上粘附至冷却管6的热接口材料层。在处,流程包括提供多个集成电路模块。例如,集成电路模块可以包括一个或多个双列直插式存储模块组件。每个集成电路模块包括:印刷电路板。天津大规模集成电路德州的集成电路渠道,找什么深圳市美信美科技。

    为了达到这个目标,在过去的几十年间,存储单元组件的尺寸已经不断缩小。mtj器件超越其它存储器类型的一个优势是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而,在mram单元中,驱动晶体管(即,存取晶体管)用于在读取和/或写入操作期间选择性地向相关的mtj器件提供电压和/或电流。因为mram单元通常对写入操作使用相对高的电压和/或电流,所以驱动晶体管的尺寸可能相对较大。虽然可以使mram单元的mtj具有小的尺寸,但是相对大尺寸的驱动晶体管限制了存储器阵列内的小型ram单元可以缩小的程度。在一些实施例中,涉及集成芯片,该集成芯片包括具有多个存储单元(例如,mram单元)的存储器阵列,存储单元不包括驱动晶体管(即,不使用驱动晶体管来对存储单元提供电压和/或电流)。而且,多个存储单元分别包括调节访问装置,该调节访问装置被配置为选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问。调节访问装置具有连接至工作mtj器件的一个或多个调节mtj器件。一个或多个调节mtj器件被配置为通过控制(即。调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问,可以减小存储器阵列内的存储单元(例如。

    使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触,并且与所述热接口材料层热耦联。图5是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图6是印刷电路装配件的图,包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件200并且包括已附接的分流管。图7a和图7b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图8a和图8b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图9示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的,并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量,特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却,但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的,并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时,液体浸入式冷却是杂乱的。另一种方法使用将双列直插式存储模块封装在散热器中的双列直插式存储模块组件,所述散热器热耦联至循环制冷液体的冷却管。所公开的实施例以两个系统板为一对。深圳美信美集成电路品质好。

    国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图示出依据本申请一实施例的单芯片集成电路封装结构;图示出依据本申请另一实施例的双芯片集成电路封装结构。具体实现方式为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请保护的范围。下面结合本申请实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案描述如下。图示出依据本申请一实施例的单芯片集成电路封装结构,包括上基板、元件及下基板。上基板上的上层金属层、下层金属层以及下层金属层上的联结pad6、、。集成电路产业是对集成电路产业链各环节市场销售额的总体描述。沈阳集成电路哪家好

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    提供的通过mtj器件的电流必须大于切换电流(即,临界切换电流)。不大于切换电流的电流将不会导致电阻状态之间的切换,并且因此不会将数据写入存储器阵列内的mtj器件。在一些实施例中。公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如,图中的至)处于高电阻状态来实施,以在选择和未选择的单元之间提供隔离。a的示意图所示,写入操作的步骤通过将数据状态写入存储器阵列的行中的存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件来实施。通过将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl和wl,将非零偏置电压v(例如,v)施加至字线wl,将第三非零偏置电压v(例如,v)施加至位线bl和bl,并且将第四非零偏置电压v(例如,v)施加至位线bl来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v(例如,v)和第三非零偏置电压v(例如,v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,和第三存储单元a,内的调节mtj器件。电流i小于切换电流isw,使得存储单元a,和第三存储单元a,内的调节mtj器件的状态不变。然而,来自调节mtj器件的电流加在一起,使得为电流i的两倍的电流流过存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。电流i的两倍的电流大于切换电流isw,以将数据状态写入存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。存储单元a。东莞中规模集成电路技术

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